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J-GLOBAL ID：201602018575566093   整理番号：70A0248827

無電極法によるホットキャリア状態n-GaAsのミリ波特性

著者 (3件)： 金田重男 ,  安部正幸 ,  堀間弘秋
資料名： 電子通信学会電子装置研究会資料
号： ED70-8  ページ： 1-17  発行年： 1970年 
JST資料番号： S0502A  資料種別： 抄録・索引 (I)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ホットキャリヤ状態のn-GaAsを利用するバルク素子のマイクロ波特性を調べるためにその室温におけるマイクロ波電気伝導度の測定をおこなった。実験は特に考案した無電極法すなわち10GHz帯の高電界マイクロ波によるホット状態となった試料に50G出帯ミリ波を側方より照射しその透過波の伝搬特性によりアイクロ波電気伝導度を決定する方法を用いた。加熱用マイクロ波を測定用ミリ波の各電界方向を垂直ならびに平行することにより直流電気伝導度に近いものとマイクロ波電気伝導度の両者を測定した。実験結果は我々が先にBoltzmann輸送方程式をもとにして導出した理論解析における周波数依存性などの妥当性を定性的に立証している;写図12参10

準シソーラス用語： GaAs ,  GaAs(マイクロ波特性) ,  マイクロ波特性 ,  無電極測定法

タイトルに関連する用語 (3件)： 無電極 ,  キャリア状態 ,  ミリ波