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J-GLOBAL ID：201602018586198428   整理番号：72A0251836

酸素中で焼なましにしたエピタクシー H-W化合物薄膜の構造,組成,電子物理的特性

Structure. composition and electrophysical propert-ies of epitaxial A”B” films annealed in the pre-sence of oxygen.

著者 (4件)： SERGEJEWA L A ,  KALINKIN I P ,  NECHIPORENKO A P ,  ALESKOVSKY V B
資料名： Proc Intern Conf Phys Chem Semiconductor Heterojunctions Layer Struct Budapest Vol III  (Proceedings. International Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures 701011 Vol.3)
ページ： 255-263  発行年： 1971年 
JST資料番号： K19700153  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ハンガリー (HUN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdS.CdSeエピタクシー薄膜をマイカ上に真空蒸着法で作り,大気中400-600°Cで10分一2時間焼なましするとCdS,CdSe薄膜にはそれぞれCdSO₄-CdO-CdO・CdSO₄,CdSeO₃-CdOが生成している事が分つた。特にCdO膜の成長の過程は電子回折のパターンにはっきり現われる。CdS膜の比抵抗は焼なましによって大幅に増大し10⁴-107Ωcmとなる。CdSeでは104-10⁶Ωcmの膜ができる;写図3表1参3

シソーラス用語： エピタクシー ,  結晶構造 ,  薄膜
準シソーラス用語： CdS ,  CdSe ,  組成 ,  第II-第Vl族化合物

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸素 ,  焼なまし ,  エピタクシー ,  化合物薄膜 ,  組成 ,  電子 ,  物理的特性