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J-GLOBAL ID：201602018624295998   整理番号：70A0014504

GaAs基板上に蒸着により成長したGaP結晶の完全性に及ぼすGaAs_x,P_1-X遷移帯の効果

Effect of a GaAs_x P_1-x, transition zone on the perfection of GaP crystals grown by deposition onto GaAs substrates.

著者 (1件)： SAUL R H
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 40  号： 8  ページ： 3273-3279  発行年： 1969年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長温度での格子不一致を補償するのに必要な不一致転位の数と,それに続く冷却の問に生ずるまげ応力の大きさを遷移帯の厚さδの関数として計算した。格子変位に対する簡単な模型を使って,転位は不一致転位の数を減らさないで幅δ内に分布させその結果その密度はδ-1に比例した減少をすることがわかった。さらに成長層中の曲げ応力は遷移帯の幅と成長層の厚さに強く依存することを示す;写図8参22

シソーラス用語： エピタクシー ,  気相 ,  結晶成長 ,  転位 ,  内部応力
準シソーラス用語： GaAs ,  GaAs_xP_1-x ,  GaP ,  結晶成長(気相)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs基板 ,  蒸着 ,  成長 ,  GAP ,  結晶 ,  完全性 ,  遷移帯