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J-GLOBAL ID：201602018714661284   整理番号：71A0045546

GaAsの走査型光ルミネセンス

Scanning photoluminescence on gallium-arsenide.

著者 (1件)： FABRE E
資料名： Solid State Commun  (Solid State Communications)
巻： 9  号： 10  ページ： 635-638  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高純度n型エピタクシーGaAsの光ルミネセンス測定から,2本の再結合ピーク1.515eV,1.489eVの相対強度と,ホール効果から求めた補κ批の間に相関があることがわかった。レーザ励起を走査する方法で補償の均一性を調べることが可能である;写図4参10

シソーラス用語： ルミネセンス ,  不純物補償
準シソーラス用語： GaAs

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  走査型 ,  光ルミネセンス