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J-GLOBAL ID：201602018730891869   整理番号：71A0034043

半導体における磁場下バンド問ラマン散乱の理論

Theory of interband Raman scattering in semiconductors in magnetic fields.

著者 (2件)： WALLIS R F ,  MILLS D L
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 2  号： 8  ページ： 3312-3315  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バンド間電子遷移とランダウ準位間のバンド間遷移を含むラマン散乱の公式を,2バンド模型で計算し,PbTeで計算した。散乱効率には状態密度ピークおよび散乱振動数がサイクロトロン振動数に等しい強い共鳴が現われる。後者の散乱は観測可能である;写図2参12

シソーラス用語： Landau準位 ,  Raman散乱
準シソーラス用語： PbTe ,  バンド間遷移

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁場 ,  バンド ,  ラマン散乱 ,  理論