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J-GLOBAL ID：201602018775894095 整理番号：70A0250638
2個のMOSFETによりスパイク消去
Two MOS FET’s form transient-free linear gate.
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著者 (1件)：
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資料名：
Electronics (Electronics)
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巻：
43
号：
6
ページ：
89
発行年：
1970年
JST資料番号：
B0455B
ISSN：
0013-5070
CODEN：
ELECA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
解説
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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コンプリメンタリMOSFETを2個並列に使ってリニアゲートに入ってきたスパイクを消去する。この回路はマルチプレクサーやサンプリング/ホールド回路などに有効で,特に100ns以下のサンプリング時間に適する。入力電圧の範囲は±10Vで,電源電圧を大きくすることにより,より大きくすることもできる。入力のONの時の抵抗値は200Ω以下で,OFFの時の抵抗10MΩ以上である;写図1
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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