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J-GLOBAL ID：201602018820692857   整理番号：70A0263093

2ダイオードメモリセルを用いた電子的に可変な半導体メモリ

Electronically-variable semiconductor memory using two diodes per memory cell.

著者 (1件)： WAABEN S
資料名： Dig Tech Pap IEEE Int Sol  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 13  ページ： 46-47  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 予稿  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高バリアのショットキーダイオード(拡散ガード・リングつき)と拡散PN接合ダイオードを直列接続したセルをもつメモリについて述べている。これを直交する2線に接続して.ランダムアクセスが可能となっている。このメモリは情報を,逆バイアスされたショットキーダイオードの容量中に静電荷として畜積する。PN接合ダイオードは書込みおよび読出し時のビット選択の作用をする。このメモリは.フリップ.フロップ半導体メモリよりも.1ビットあたりの価格が1/3~1/10ですむ;写図6参2

シソーラス用語： Schottky障壁ダイオード ,  記憶装置
準シソーラス用語： 2ダイオードメモリセル ,  ショットキーダイオード ,  ショットキーダイオード(メモリ) ,  メモリ ,  半導体記憶

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイオード ,  メモリセル ,  電子 ,  半導体メモリ