抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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Карапетьянц-Лотьの法則を半導体における電気伝導度の活性化エネルギー,すなわち禁制帯の巾を求めるのに応用した。Me
2A型およびMe
2X
3型(Me=Mg,Ca,A=Si,Sn,Pb,Me=Sb,As,In,Bi,Ga,X=O,Se,Te)の半導体の活性化エネルギーを求めた