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J-GLOBAL ID：201602018917474692   整理番号：70A0037328

N形GaPの赤外吸収 IV 高い伝導帯への電子遷移を伴うドナーの光イオン化

Поглощение инфракрасного излучения в фосфиде г ал-лкя n-тип а.IV.Ф отоионизация доноров с переходом электронов в более высокую зону проводимости.

著者 (3件)： ПМАРЦЕВ К В ,  РЕМЕНЮ К А Д ,  КИСТОВА Е М
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 4  号： 1  ページ： 195-199  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： Si.Te,SeをドープしたN形GaPの赤外吸収(波長2-4μ)を温度120眠で測定した。吸収スペクトルの測定値は,高い伝導帯への直接遷移による吸収の計算値とよく一致している。吸収帯の形状から定めた上の帝の有効質量値は0.05m低い帯との極小間隔は0二35eV;写図2表1参12

シソーラス用語： ドナー ,  吸収スペクトル ,  光イオン化
準シソーラス用語： GaP ,  GaP(N形) ,  N形 ,  吸収スペクトル(赤外) ,  光イオン化(ドナー) ,  赤外

タイトルに関連する用語 (6件)： GAP ,  赤外吸収 ,  伝導帯 ,  電子遷移 ,  ドナー ,  光イオン化