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J-GLOBAL ID：201602019150915600   整理番号：71A0247578

電荷に着目したダイオードスイッチング特性の解析

Diode switching using charge analysis.

著者 (1件)： HART B L
資料名： Electron Wirel World  (Electronics & Wireless World)
巻： 77  号： 1425  ページ： 139-142  発行年： 1971年 
JST資料番号： E0395A  ISSN： 0043-6062  CODEN： WIWOA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空管時代には高周波特性も直流特性に電極間容量を加える程度でおよその見当をつけることができた。しかし接合形半導体ダイオードでは逆バイアスから順バイアスに切換えた直後は逆電流が存在するというような現象があり,素子の内部に立入った知識をいくらかでも持たないと特に高周波特性は理解しにくい点がある。ダイオードでは接合面におけるバリアつまり障壁容量を考えると動特性を大体うまく説明でき.このような扱い方は接合面の多いトランジスタ以上の複雑な素子の理解を助けることにもなるので,数学の方はなるべく少なくして学生向の解説を試みた;写図15参9

シソーラス用語： ダイオード
準シソーラス用語： スイッチング特性

タイトルに関連する用語 (5件)： 電荷 ,  着目 ,  ダイオード ,  スイッチング特性 ,  解析