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J-GLOBAL ID：201602019154984577 整理番号：65A0014857
湿酸素中焼なまし後のけい素中の二次元欠陥
Two-dimensional defects in silicon after annealing in wet oxygen.
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資料名：
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巻：
11
号：
114
ページ：
1303-1308
発行年：
1965年
JST資料番号：
D0316A
ISSN：
0031-8086
CODEN：
PHMAA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
イギリス (GBR)
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機械的に損傷した表面を持つけい素を湿酸素中で1200°C,2h焼なまして観察した.二次元的欠陥が表面から内部へと延びている.それは非晶質でおそらく酸化物と考えられる;写2参9
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