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J-GLOBAL ID：201602019209322285   整理番号：71A0293170

化合物半導体を含む三元系の液相面 II Ga-As-ZnおよびGa-P-Zn系における等温液相線および分圧成分の計算

The liquidus surfaces of ternary systems involving compound semiconductors : II. Calculation of the liquidus isotherms and component partial pressures in the Ga-As-Zn and Ga-P-Zn systems.

著者 (1件)： JORDAN A S
資料名： Trans Soc Min Eng AIME  (Transactions of the American Institute of Mining, Metallurgical and Petroleum Engineers. Society of Mining Engineers)
巻： 2  号： 7  ページ： 1965-1970  発行年： 1971年 
JST資料番号： E0266A  CODEN： TMENA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 前報で導出したAB二元化合物に希薄溶質が平衡している三元正則融体に対する液相線公式をGa-As,Ga-As-Zn系ならびにGa-P,Ga-P-Zn系について求められているデータに適用してみた。計算に必要な各系の三元交換エネルギーは多次元最少二乗法で計算した。三元活量係数と等温液相線とを組合わせることによって,液相線にそった各構成元素の分圧を求めた。これらの計算結果は実験結果とよく一致する;写図10参30

シソーラス用語： 活量 ,  半導体
準シソーラス用語： ガリウム-ひ素-亜鉛合金

タイトルに関連する用語 (5件)： 化合物半導体 ,  液相面 ,  液相線 ,  分圧 ,  計算