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J-GLOBAL ID：201602019233194573   整理番号：74A0049122

非常に低いしきい電流値をもっ横-接合ストリップ構造の二重ヘテロ構造レーザー

Transverse-junction-stripe-geometry double-heterost-ructure lasers with very low threshold current.

著者 (4件)： NAMIZAKI H ,  KAN H ,  ISHII M ,  ITO A
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 45  号： 6  ページ： 2785-2786  発行年： 1974年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非常にうすいGaAsホモ接合レーザが(GaAl)As層でサンドイッチされている新しい構造のDHレーザーを作った。最低しきい電流値は室温のパルスおよびCW動作でそれぞれ63および80mAである。さらに電流値を下げる可能性を述べる;写図2表1参4

準シソーラス用語： GaAs ,  二重ヘテロ接合 ,  半導体レーザー

タイトルに関連する用語 (3件)： しきい電流 ,  ストリップ ,  二重ヘテロ構造レーザー