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J-GLOBAL ID：201602019254397172   整理番号：66A0297621

三セレン化アンチモン(Sb₂Se₃)蒸着膜の光導電

著者 (1件)： 楢岡清威 (日立中研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 34  号： 12  ページ： 884-888  発行年： 1965年 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN) 

抄録/ポイント： 真空蒸着によってネサガラス上にSb₂Se₃の膜を製作した.対電極にAuあるいはAl蒸着膜を着け,Sb₂Se₃膜の光導電性を測定した.暗抵抗は109ohm-cmでタングステン電球の100ルクスを照射すれば抵抗は1/2から1/3に低下する.分光感度は700~1100mμにわたり,その極大は820~900mμにある.応答速度は照度100ルクスにおいて時定数1msec以下である.分光感度および応答速度は対電極金属の種類あるいは印加電圧の極性によって異なる.基板温度100°C以下で得られた蒸着膜は非晶質であり,上記の特性は非晶質膜のそれである.基板温度を250°C以上に上昇させて蒸着を行えば得られた膜は結晶化し,電気抵抗は低下し光透過は減少する.

引用文献 (8件)：

• 2) B. T. Kolomiets, V. M. Lyubin and D. V. Tark. hin: Soviet Phys. Solid State 1 (1960) 819
• 1) 関,高橋,和田:東北大電通談話会記録 28 (1959) 103
• 3) J. Black, E. M. Conwell, L. Seigle and C. W. Spencer: Phys. Chem. Solids 2 (1957) 240
• 4) G. Burrow: Molecular Distillation, Oxford Univ. Press (1960)
• 5) 中川洋:真空蒸溜,日刊工業新聞社 (1964)

タイトルに関連する用語 (3件)： セレン化アンチモン ,  蒸着膜 ,  光導電