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J-GLOBAL ID：201602019254687928   整理番号：66A0016273

α粒子照射によるGaP内の電子一正孔対形成

Electronhole pair creation in gallium phosphide by o particles

著者 (1件)： GOLDSTEIN B
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 36  号： 12  ページ： 3853-3856  発行年： 1965年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： GaPにおいて電子-正孔対を生じさせるに必要なエネルギーは7.8±0.80v/対であることが分った。GaPのエッチ面に金を蒸着して形成させた表面障壁に既知エネルギーのα線を照射したとき生じる電荷を測定した。Cuを拡散させた高比抵抗GaPを用いると,α粒子の検出効率は著しく低下するが,光を照射するとほとんど元に戻る。これは電荷が築まる過程でのトラップの働らきによる。P-N接合法によって求められたGe,Si,GaAsなどにおける電子-正孔対の形成エネルギーと比較考察する;図4表1参25

タイトルに関連する用語 (5件)： α粒子 ,  GAP ,  電子 ,  正孔 ,  対形成