抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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積み重ね形の半導体検出器で,荷電粒子が突き抜ける場合には,シリコンの結晶軸の方向が問題になる.それは粒子が結晶面或いは結晶軸にそって飛ぶ場合は,他の場合よりエネルギー損失が少ないからである.従ってこのエネルギー損失の不均一性は,検出器が正しいレスポンスをするのをさまたげる.たとえば,25μ厚の△EカウンタとEカウンタで3MeVの陽子を測定する.入射粒子の方向に対し,△Eカウンタの結晶面および結晶軸がランダム方向にあると,スペクトルは平均750keVのエネルギーを失なったガウス分布を示す.しかし,入射方向と結晶軸の〔110〕方向とが一致すると,750keVのエネルギー損失を示すのは約半数になってしまい,400keV程度しか失わないものさえある.このことは,例えばE・△Eシステムで,質量選別をする場合重要な問題になり,スペクトルのピーク対谷の比は約10倍もちがう;図8参6(高田 守)
