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J-GLOBAL ID：201602019345566597   整理番号：71A0242595

リンを拡散したシリコン中の格子欠陥

著者 (2件)： 新田雄久 ,  牧道義
資料名： 電子通信学会半導体・トランジスタ研究会資料
号： 70-30  ページ： 1-11  発行年： 1970年 
JST資料番号： S0520A  資料種別： 抄録・索引 (I)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si中にPOCl₃を不純物源としてPを拡散させた時に拡散層中こ導入される析出や転位のPの表面濃度に対する依存性をX線Lang法や電子顕微鏡を用いて検討した。 Pの表面濃度が10²¹atoms/cm³以下の場合には.拡散層中に導入される析出の密度は約10²cm^-2以上,転位密度は10³cm^-2程度であるが. Pの表面濃度と共に析出.転位の密度は増加する。Pの表面濃度が10²²atoms/cm³を越える領域では.Plate状の析出が10⁹cm^-2の高密度で形成され.転位は観察されなかった。このことは析出によって拡散層のひずみが緩和されるものと考えられる;写図8表3参6

シソーラス用語： 拡散 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： シリコン ,  シリコン(格子欠陥) ,  リン ,  格子欠陥(シリコン) ,  表面濃度 ,  表面濃度(リン)

タイトルに関連する用語 (4件)： リン ,  拡散 ,  シリコン ,  格子欠陥