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J-GLOBAL ID：201602019345751017   整理番号：66A0209692

MOS形ホール素子

A metal-oxide-semiconductor MOS hall element.

著者 (2件)： GALLAGHER R C ,  OORAK W S
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 9  号： 5  ページ： 571-580  発行年： 1966年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR) 

抄録/ポイント： モノリシックな集積回路技術と完全に両立する新しい形のホール素子についてのべた。材料内部の現象であるホール効果とMOSトランジスタ構造とを組合せたもので,シリコンを用いて有用なホール電圧が得られる。この素子をモノリシックな小片の中で他の素子と全体に分離させることができる。MOSトランジスタの製法と特性をのべ,PチャネルMOSホール素子の直流静特性.ホール電圧の電流特性,磁界特性,反転層の長さと幅の影響を実験した。移動度を議論し,出力ホール電圧の改善方法,同一シリコン基板上に他の素子とともに作る方法の可能性と設計法を考察した;写2図9参11

タイトルに関連する用語 (2件)： MOS ,  ホール素子