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J-GLOBAL ID：201602019387148965   整理番号：70A0365044

酸素をドープした高抵抗GaAsにおける低周波光電流振動と捕獲準位

著者 (1件)： 徳丸洋三 (電試(田無))
資料名： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 9  号： 1  ページ： 95-100  発行年： 1970年 
JST資料番号： G0520A  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温以下の温度で,酸素をドープした比抵抗400Ωcmのn-GaAsの低周波(0,1~1000Hz)光電流振動と光および暗伝導度を測定した.伝導体の底から0.49,0.73および1.3eVに位置する3種の準位を仮定すると実験結果が良く説明できる.電流振動は0.73eVの準位と関係している:参29

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸素 ,  ドープ ,  GaAs ,  低周波 ,  光電流 ,  捕獲準位