文献
J-GLOBAL ID：201602019583691472 整理番号：61A0010540
半導体中の負抵抗効果の可能性
The possibility of negative resistance effects in semiconductors.
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資料名：
Proc Phys Soc (Proceedings of the Physical Society)
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巻：
78
号：
2
ページ：
293-304
発行年：
1961年
JST資料番号：
D0390A
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
イギリス (GBR)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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この方法の原理は電場中での高い移動度をもつ副バンド中の熱担体に対して用いられるので,低い移動度の副バンドに対しては充分に高い温度が必要である。この条件から球または回転だ円体バンドのときの負抵抗がボルツマン方程式から導ける
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