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J-GLOBAL ID:201602019604012856   整理番号:71A0034413

基底状態励起子線におけるGaSeの温度変調反射率

Temperature-modulated reflectance of GaSe at the ground state exciton line.
著者 (4件):
資料名:
巻: 44  号:ページ: 713-716  発行年: 1971年 
JST資料番号: C0599A  ISSN: 0370-1972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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励起子領域における熱反射率スペクトルを層状化合物GaSeにつ,1て求めた。実験結果は,全体の構造のつれは温度のみであると仮定して説明することが出来る。液体窒素温度において,第1エネ1レギ-準位および幅の広がりのパラメータとしてそれ実それE・=2.093e1およびrニ41.OmeVを得た。異なった3つの温度における測定から1呈度係数としてdE。/dTニー5,49×10-4eV/degを得た;写図4参la
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