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J-GLOBAL ID：201602019606699514   整理番号：66A0288996

半導体放射線検出器(2)

著者 (1件)： 高田守
資料名： 三菱電機技報
巻： 39  号： 10  ページ： 55-61  発行年： 1965年 
JST資料番号： F0198A  ISSN： 0369-2302  CODEN： MTDNAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN) 

抄録/ポイント： これはシリコンP-N接合形検出器とリシウムドリフト形検出器,それにトランジスタ電荷増幅器に関する研究と開発の報告である。P-N接合形検出器は接合面をシリコン酸化膜の下に保護することにより,キャップなしで定定な特性を有し,逆電流も少さい。この形を特にプレーナ形と称している。有効面積は7mm²および20mm²の二種あり,5MeVのα線分解能は定格で20~3kevとなっている。他に,湿度・ふん囲気・経時変化・放射線損傷などの試験を行った。リシウムドリフト形は,有効面積が4×5mm²で,有効厚さは定格で2mmまである。また,半導体検出器用に全トランジスタ化増幅器を完成,雑音は10~20keVとなった;写3 図26 表3 参1

タイトルに関連する用語 (1件)： 半導体放射線検出器