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J-GLOBAL ID:201602019614658150   整理番号:61A0061565

原子核変化による一様な抵抗のN形けい素の調製

Preparation of uniform resistivity n-type silicon by nuclear transmutation.
著者 (2件):
資料名:
巻: 108  号:ページ: 171-176  発行年: 1961年 
JST資料番号: C0285A  ISSN: 0013-4651  CODEN: JESOAN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
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30Siの熱中性子捕獲とそれに伴う核変化(31Pを形成)によってけい素中にドナーを形成する,大きい原子炉中で照射すれば,線束が一様だから一様にドープされたN形けい素を調製できる,照射などによる破壊は600°C附近での焼きなましで除かれる,この方法で5cmの領域で±5%以内で一様な抵抗(0.1~20Ωcm)をもつ結晶を得た
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