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J-GLOBAL ID：201602019628935610   整理番号：65A0166168

ニオビウムおよびタンタル薄膜の臨界温度

Critical temperature of niobium and tantalum films.

著者 (2件)： RAIRDEN J R ,  NEUGEBAUER C A
資料名： Proc IEEE  (Proceedings of the IRE)
巻： 52  号： 10  ページ： 1234-1238  発行年： 1964年 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： ニオビウムやタンタルの超伝導臨界温度は少量の含有酸素に極めて敏感である。これらの薄膜を電子ピームを利用して蒸着する方法を述べ,その蒸着条件と膜の臨界温度との関係を調べた。残留ガスの除去をよく行なうこと,および蒸着中に基板温度を上げることは膜の不純物含有量を減らす上で効果があり,臨界温度を高めることになる。膜の抵抗比,およびX線回析から出した格子常数を不純物含量の目安に使用した。抵抗比3以上のNb薄膜では臨界温度が9°K以上になり,抵抗比5以上のTa薄膜では臨界温度4.2°K以上になる;図3表2参16

タイトルに関連する用語 (4件)： ニオビウム ,  タンタル ,  薄膜 ,  臨界温度