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J-GLOBAL ID：201602019646609984   整理番号：71A0046542

N形GaAsのガルバノルミネセンス

Гальванолюминесцениия аргенида галлня n-типа

著者 (4件)： БОБЫЛЕВ Б А ,  КРАВЧЕНКО А Ф ,  ЛОБУРЕЦЮ В ,  САЛОМОН С Н
資料名： 不明
ページ： 2054-2058  発行年： 1970年 
JST資料番号： Z0000A  資料種別： 不明
記事区分： 原著論文  発行国： その他 (ZZZ)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 電解質中を電流が流れるときGaAs電極表面で生じる発光を,陽極,陰極の両方の場合についてしらべた。スペクトルの極大は.1,425(n=10i8cm’3)と1.46(n=4.5×10i8cm-3)eVにある。時間特性と積分発光強度を求めた。最大強度は約30μW,量子効率は10”4であった。可能な機構について考察した;写図3表2参15

準シソーラス用語： GaAs ,  ガルバノルミネセンス ,  電流ルミネセンス ,  発光強度

タイトルに関連する用語 (1件)： GaAs