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J-GLOBAL ID：201602019700286622   整理番号：71A0241993

pnpnインダクタンスダイオード

著者 (3件)： ます岡富士雄 ,  北村まさ良 ,  西沢潤一
資料名： 電子通信学会論文誌 C  (Transactions of the Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan. C)
巻： 54-C  号： 2  ページ： 163-171  発行年： 1971年 
JST資料番号： S0623A  ISSN： 0373-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本論文は,ベースの一つが長い,pnpnダイオードの高導通状態を解析し直流特性交流特性を求め,一方合金拡散法によって製作したpnpnダイオードの測定結果と比較検討したものである。ただし,保持電流領域近くの高注入の近似が成立しない範囲については,解析していない。また交流特性よりpnpnダイオードのインピーダンスを求め,低周波近似した場合の等価回路定数の直流電流バイアス依存性,厚い方のベースの厚さ依存性を明らくにしている。その結果,大きな値のインダクタンスおよびQを得るためには,ベースを厚くし直流バイアス電流を小さくすれば良いことを示している。しかしベースを厚くすることは,周波数特性を劣化させ,電流を小さくすることは,pnpnダイオードの保持電流で制限される。本論文によってpnpnダイオードのインダクタンス特性を明らかにしている;写図14参16

準シソーラス用語： pnpnインダクタンス ,  インダクタンスダイオード ,  グイオード

タイトルに関連する用語 (2件)： インダクタンス ,  ダイオード