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J-GLOBAL ID：201602019710830371   整理番号：71A0037377

GaAsにおける衝突電離によるフォトキャリア増倍

Photocarrier multiplication due to impact ionization in GaAs.

著者 (1件)： CRANDALL R S
資料名： Phys Lett A  (Physics Letters. A)
巻： 32  号： 7  ページ： 470-480  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタクシー1成長単結晶N型GaAsの光電流測定を4.2。Kで行い,浅いドナーの衝突電離によるほぼ800倍に達する光電流増倍効果を観測。この実験結果は電子一イオン化不純物および電子一フォノン相互作用のしゃへい効果を用いて説明される;写図1参6

シソーラス用語： 光電流
準シソーラス用語： GaAs ,  光キャリア増倍 ,  衝突イオン化

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  衝突電離 ,  フォト ,  キャリア