抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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助走域において高Schmidt数(Sc)での物質移動実験を行なった.実験には電気化学的方法を用いた.一方,高Scでの乱流境界層内物質移動に対する解法を示した.つまり,完全発達流れの乱流拡散係数の分布が助走域でも成立つとして濃度方程式をvon Mises変換して,これを固有値問題として解いた.解析結果は局所および平均物質移動係数の実測値と良好な一致を示し,上の仮定が助走域でも成立することが確かめられた:参7