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J-GLOBAL ID：201602019728089571   整理番号：70A0029864

GaAsの積層欠陥の熱消滅機構

Mechanism of thermal annihilation of stacking faults in GaAs.

著者 (2件)： ABRAHAMS M S ,  BUIOCCHI C J
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 41  号： 6  ページ： 2358-2365  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 液相からエピタクシー成長したGaAsを透過電子顕微鏡で調べた。このエピタクシー層は機械的に研摩した基板上に成長させたものであり,Shockleyの部分転位で境界づけられた固有の積層欠陥を含んでいる。これらの成長した欠陥の各端付近には,三つの重り合った固有の欠陥があり,焼なましする事によってこれら三層欠陥が消滅する事を示す。さらに消滅の機構を論ずる;写図8表2参17

シソーラス用語： 焼なまし ,  積層欠陥 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： GaAs ,  電子顕微鏡法

タイトルに関連する用語 (2件)： GaAs ,  積層欠陥