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J-GLOBAL ID：201602019790402766 整理番号：64A0165939
薄膜抵抗器の品質向上
Verbesserung der Qualit’dt von Schichtwiderstanden.
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著者 (1件)：
HENNIGER H
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資料名：
Nachrichtentechnik (Nachrichtentechnik)
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巻：
14
号：
3
ページ：
116-120
発行年：
1964年
JST資料番号：
D0188A
CODEN：
NACHA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
東ドイツ (DDR)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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金属薄膜抵抗器は,高抵抗のものは温度係数が負である。この特性は,金属薄膜が微粒子の集合であると考えて,接触抵抗の理論で説明できる。炭素皮膜抵抗器はセラミック上に炭化水素化合物を高温で熱分解して作る。分解温度が高いほど炭素の結晶が大き,結晶軸がそろう。分解温度には最適の温度範囲があるが,炭素薄膜の電気伝導度理論が解明されていないので,理論的説明はできない。炭素に少量の硼素を混入すると特性が改善される。端子は,銅メッキするとよい。錫メッキした深しぼり鋼板でキャップを作,炭素膜側に亜鉛メッキすると,最もよい;写4図3参5
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