半導体の無放射遷移

LANDSBERG P T

文献

J-GLOBAL ID：201602019794439559 整理番号：71A0037008

半導体の無放射遷移

Non-radiative transitions in semiconductors.

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資料名：
巻： 41 号： 2 ページ： 457-489 発行年： 1970年
JST資料番号： C0599A 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：東ドイツ (DDR) 言語：英語 (EN)

半導体の無放射遷移をレビニーし.参考文献を多数のせた。無放射遷移はエネルギー吸収遷移と共に起り.それは素励起を固体中に生り出す。素励起によるものの他に.オージニ効果の型の無放射覆遷移が期待される.バンド,トラップや励起子に対するこの効果と共=フォノンカスケードに関する一.二をこの論文で扱う。文献1924-1970主として燭51年以降;写図23表2参158

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