抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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非縮退半導体におけると同様,縮退半導体に対して成り立つ一般化されたアインシュタインの関係式を考察した。素子の設計におけるその応用を容易にするために漸近的,論よび,中間領域の近似式を導びき,シリコンとゲルマニウムのキャリア濃度に対して拡散定数と移動の比をフロットした;写図1参8