文献
J-GLOBAL ID：201602019803220840 整理番号：68A0218104
縮退半導体に対する一般化されたアインシュタインの関係式
Generalized einstein relation for degenerate semi-conductors.
出版者サイト
複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで
著者 (2件)：
LINDHOLM FA
LINDHOLM FA について
「LINDHOLM FA」ですべてを検索
,
AYERS R W
AYERS R W について
「AYERS R W」ですべてを検索
資料名：
Proc IEEE (Proceedings of the IRE)
Proc IEEE について
JST資料番号 D0378A ですべてを検索
ISSN,ISBN,CODENですべてを検索
資料情報を見る
巻：
56
号：
3
ページ：
371-372
発行年：
1968年
JST資料番号：
D0378A
ISSN：
0018-9219
CODEN：
IEEPAD
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
非縮退半導体におけると同様,縮退半導体に対して成り立つ一般化されたアインシュタインの関係式を考察した。素子の設計におけるその応用を容易にするために漸近的,論よび,中間領域の近似式を導びき,シリコンとゲルマニウムのキャリア濃度に対して拡散定数と移動の比をフロットした;写図1参8
タイトルに関連する用語 (1件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
縮退半導体
縮退半導体 について
「縮退半導体」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
前のページに戻る
TOP
BOTTOM
