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J-GLOBAL ID：201602019810768347   整理番号：71A0243847

GaAsIMPATTダイオード発振器と増幅器

GaAs IMPATT diodes. oscillators and amplifiers.

著者 (1件)： ARMSTRONG L D
資料名： Dig Tech Paper Intern Microwave Symp Newport Beach  (Digest of Technical Papers International Microwave Symposium 700511)
ページ： 279-284  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19700012  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs IMPATTダイオードの堅史と技術の状態について述べた。1967年ワシントンで電子装置コンファレンズが催されたとき.Xバンドで10%以上の効率が報告された。最近CW発振出力2W以上効率15%以上がXバンドでえられた。著者らの得た発振結果は次の通りである。ダイアモンドヒートシンクにマウントしたXバンドシヨットキーパリヤダイオードチップにおいて室温でCW.10%の効率を得た。Kuパンドでは半W10%以上の効率.Kaバンドで100mW以上が得られた。FMとAM雑音測定からは低雑音の発振器が設計されうることがわかった;写図7参5

シソーラス用語： IMPATTダイオード ,  増幅器 ,  発振器
準シソーラス用語： 増幅器(IMPATTダイオード)

タイトルに関連する用語 (2件)： 発振器 ,  増幅器