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J-GLOBAL ID：201602019815750624   整理番号：62A0014137

半導性立方晶窒化ほう素の調製

Preparation of semiconducting cubic boron nitride.

著者 (1件)： WENTORF R H Jr
資料名： J Chem Phys  (Journal of Chemical Physics)
巻： 36  号： 8  ページ： 1990-1991  発行年： 1962年 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 六方晶窒化ほう索とLiまたは窒化マグネシウムとの混合物に適当な不純物を加えて高圧高温処理により半導性立方晶がえられる。Beを加えるとP形で抵抗率10^sohm-cm程度,電導の活性化ェネルギー0.2ev,S,Si,KCNを加えるとN形で10³ohm-cm程度,活性化エネルギー0.05~0.20ev,不純物の拡散はダイヤモンド程速くない,点接触整流効果を認めた

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導性 ,  立方晶窒化ほう素 ,  調製