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J-GLOBAL ID：201602019838908721   整理番号：71A0045981

非常に均一で欠陥のないエピタキシャルシリコンのたい積技術

Techniques for depositing highly uniform and defect-free epitaxial silicon.

著者 (2件)： GUPTA D C ,  PORTER J L
資料名： Proc Symp Silicon Device Process Gaitherburg  (Proceedings Symposium on Silicon Device Processing 700602)
ページ： 66-78  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19700063  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面特性の優れた均一なエピタキシャルSi層を得る技術について検討。反応炉の構造を最適にした場合,均一なエピタキシャル層を得るために変化できるのは反応ガス流の状態のみで,ガス流の速度を増加すると表面層のテーパ(taper)は縦横両方向ともに減少し,表面特性もわずかに優れている。また,反応管の形状は丸形よりも角形構造の方がテーパが減少する。SiH。に低濃度のHCLあるいはSF・を導入すると.表面の均一性は改善される;写図16参20

シソーラス用語： エピタクシー ,  エピタクシー ,  シラン ,  電気炉 ,  表面状態
準シソーラス用語： エピタキシャル成長

タイトルに関連する用語 (2件)： 欠陥 ,  たい積