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J-GLOBAL ID：201602019863039401   整理番号：71A0243189

IMPATTダイオードの周波数スケーリング

Frequency scaling of IMPATT diodes.

著者 (2件)： BLUM F A ,  KRAMER N B
資料名： IEEE Trans Electron Devic  (IRE Transactions on Electron Devices)
巻： 17  号： 11  ページ： 983-986  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IMPATT小信号インピーダンス理論を用いて簡単なIMPATT特性の一般的な周波数スケーリング則を導いた。電子と正孔のドリフト領域の間にアバランシェ領域がはさまれた理想的な一次元のIMPATTモデルを用いて交流電界と交流端子電流密度の関係を解析し。空乏層の厚さ.接合面積.破壊電圧,直流バイアス電流密度に対する周波数スケーリング則を導いた。これによってIMPATTダイオードの設計の指針が与えられる。また大信号動作に対する考察ものべた;写図1表1参17

シソーラス用語： IMPATTダイオード
準シソーラス用語： 周波数スケーリング

タイトルに関連する用語 (2件)： IMPATTダイオード ,  周波数スケーリング