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J-GLOBAL ID：201602019869344729   整理番号：71A0239750

タンタル蒲膜の相形成について

著者 (3件)： 藤森正敏 ,  中村正 ,  西村保郎
資料名： 電子通信学会電子回路部品・材料研究会資料
号： 70-18  ページ： 1-18  発行年： 1970年 
JST資料番号： S0517A  資料種別： 抄録・索引 (I)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高真空下でのスパッタTa薄膜は,汚れたふん囲気中でα-Taが生成し,清浄なふん囲気中でβ-Taが生成する。後者の現象は基板面近傍にH ₂Oなどの不純物ガスが存在しない場合でTa原子が直接基板と衝突しquenchingされることによると考えられ,低真空下でのβ。Taへの相転移は放電ガスの吸蔵と熱的な影響とが関係していると想像される。窒化タンタル薄膜は窒素ガス分圧によらない領域があり,その領域では基板上に存在する窒素分子数とスパッタされて飛来するタンタル原子数との比が一定となり,低エネルギー状態で正しい組成の安定なTa ₂N膜が形成されている;写図15参7

シソーラス用語： タンタル ,  薄膜コンデンサ
準シソーラス用語： コンデノサ ,  コンデノサ(タンタル薄膜) ,  タンタル薄膜 ,  タンタル薄膜コンデンサ ,  薄膜コンデンサ(タンタル)

タイトルに関連する用語 (2件)： タンタル ,  相形成