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J-GLOBAL ID：201602019986537929   整理番号：58A0052957

半導体熱陰極における飽和域への移行特性

Особенности перехода к насыщению в по-лупроводниковых термокатодах.

著者 (1件)： ТОЛ-ПЫГО К В
資料名： 不明
巻： 3  号： 8  ページ： 980-989  発行年： 1958年 
JST資料番号： Z0000A  資料種別： 不明
発行国： その他 (ZZZ) 

抄録/ポイント： 半導体表面層の伝導電子密度が,境界の電界と通過電流の影響を受けることを考慮に入れた半導体陰極の空間電荷域の理論で,拡散式とPoisson式を,ドナの小部分だけがイオン化されているとする仮定で解く。飽和電流の温度依存性境界の雷界と電子密度の関係,および陰極の電圧電流特性が得られ,これから特性の温度変化パルス動作の際の電流の時間変化D実測を説明した

分類 (3件)： (EA010100) ,  (EA010203) ,  (EA010306)

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱陰極 ,  飽和域 ,  移行