文献

J-GLOBAL ID：201602020059743609   整理番号：73A0035396

HfO₂,ZrO₂,ThO₂中の電子正孔移動度

Electron hole mobility in HfO₂, ZrO₂ and ThO₂.

著者 (2件)： WIMMER J M ,  TALLAN N M
資料名： Proc Intern Conf Conduction Low-Mobility Mater 2nd Eilat  (Proceedings International Conference on Conduction in Low-Mobility Materials 2 710405)
ページ： 41-47  発行年： 1971年 
JST資料番号： K19710188  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気伝導度と熱重量法及びゼーベック係数の測定から移動度の評価を行い,ZrO:,ThO2は酸素分圧を変化しても重量変化がほとんどない事から移動度の下限として,ZrO:は星000°Cで3×10-’cm’/Vsec以上,ThO,は1400°Cで6×10-3耐/Vsecとなり,ゼーベック係数の測定から1ぽ/Vsecの値が得られ,HfO:では10”3酎/Vsecと著しく小さいのと対照的である。これは伝導の機構の差による;写図5参7

シソーラス用語： キャリア移動度
準シソーラス用語： HfO₂ ,  ThO₂ ,  ZrO₂

タイトルに関連する用語 (5件)： HfO2 ,  ZrO2 ,  ThO2 ,  電子 ,  正孔移動度