抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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N形ZnSの上にPdを付けてショットキー障壁冷陰極を製作した。Pdは超高真空中でZnSのされいなへき開面上に30~50Aの厚みの膜の形で蒸着し.その真空系の中でセシウム化を行った。この冷陰極は,0.01A/耐までの冷放出電流はL5%の効率で得られる。障壁の高さの測定を行い,電子は真空準位の上0.5eVのエネルギー準位で接合に入ることがわかった;写図8参7