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J-GLOBAL ID：201602020096146777 整理番号：71A0248220
MOSデバイスの最近の進歩と技術的背景
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著者 (1件)：
垂井康夫
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資料名：
電子技術 (Electronic Engineering)
電子技術 について
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巻：
13
号：
4
ページ：
9-12
発行年：
1971年
JST資料番号：
F0571A
ISSN：
0366-8819
CODEN：
DEGIA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
文献レビュー
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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MOSトランジスタの特徴を,バイポーラトランジスタと対比しながら明らかにし,技術の進歩がいかにして行なわれて欠点が補われてきたかを述べ,その将来を予測した。しきい値電圧制御,キャパシタンスの減少,チャネル長の減少とg
m
の増大,ベース抵抗,高速化,高周波化について解説した;写図1
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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