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J-GLOBAL ID：201602020124550503 整理番号：65A0020318
半導体の不純物散乱に対する強照射の効果
Effect of intense illumination on impurity scattering in semiconductors.
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著者 (1件)：
BFTAGE P R
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資料名：
Phys Rev Part A (Physical Review. Part A)
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巻：
140
号：
4A
ページ：
A1274-A1282
発行年：
1965年
JST資料番号：
D0323A
CODEN：
PRVAA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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単純な,直接遷移で結ばれるバンドギャップを持つような半導体に対して,イオン化したアクセプタが存在する場合の,強い光による電子,空孔の散乱を,位相のずれ,の方法で解析。アクセプタの状態を仮想的な中間状態とするような散乱が起る。空孔の散乱は,光の強度が増す程,電子の散乱に比べて重要でなくなる;図6参5
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