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J-GLOBAL ID：201602020375929625   整理番号：72A0038006

ゼロギャップ半導体の移動度におよぼすP_3/2帯内分極効果

Effect of P_3/2 intraband polarization on the mobility of zero-gap semiconductors.

著者 (2件)： BROERMAN J G ,  PATHAK K N
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 4  号： 2  ページ： 664-667  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： α-Snのようなゼロギャップ半導体がドープイングを受けた場合〓静的しゃへい関数のバンド内成分は,伝導電子帯の波動関数のP軌道的性格により,大きな運動量変化をする自由電子による場合に比して,相当量減少することを示した。しかし,この大きなしゃへい効果の変化は,イオン化されている不純物の移動度に限って,比較的小さな変化しかおよぼさないことも示した;写図2参23

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  波動関数 ,  半導体
準シソーラス用語： 伝導電子帯

タイトルに関連する用語 (3件)： ゼロギャップ半導体 ,  移動度 ,  分極