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J-GLOBAL ID：201602020431930763   整理番号：71A0045328

高温動作の為のn型GaPのオーミックコンタクト

著者 (3件)： NAKATSUKA H ,  DOMENICO A J ,  PEARSON G L
資料名： Proc Conf Solid State Dev  (Proceedings of the Conference on Solid State Devices)
巻： 1970  ページ： 58-60  発行年： 1970年 
JST資料番号： S0652A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型GaPと金属の接触抵抗を熱電子電界放出の理論から計算した,実際にAu’Al,Ag’Ni蒸着膜をGaPにつけ合金温度を測定し,さらにAR-Ge,Ag-Te‘Ag-Te-Sb接触をNi膜で被ったものは600-700°Cで加熱するとオ-ミックになることが分った。この接触は500°Cで安定である;写図4表1参7

シソーラス用語： 熱電子放出
準シソーラス用語： GaP ,  オーミック接触

タイトルに関連する用語 (3件)： 高温動作 ,  GAP ,  オーミックコンタクト