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J-GLOBAL ID：201602020443588564 整理番号：65A0023931
4HSiCドナーに対するKohn-Luttinger干渉効果
Kohn-Luttinger interference effect for donors in 4H SiC.
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著者 (1件)：
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資料名：
Phys Rev Part A (Physical Review. Part A)
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巻：
138
号：
5A
ページ：
A1477-A1481
発行年：
1965年
JST資料番号：
D0323A
CODEN：
PRVAA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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SiCの同等でない位置を占める窒素ドナーの異なるイオン化エネルギーを説明するためにこの干渉効果を考えると,ドナーの近傍に電子密度の差ができる。Si面ではこの違いが3倍近くになる。ボァー半径が小さいことの重要性および他のSiC polytypeへの応用についても議論;図3表1参29
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