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J-GLOBAL ID：201602020443705030   整理番号：71A0241495

GaAsへのイオン注入

著者 (2件)： 伊藤ただ次 ,  久代行俊
資料名： 電子通信学会電子回路部品・材料研究会資料
号： 70-28  ページ： 1-16  発行年： 1970年 
JST資料番号： S0517A  資料種別： 抄録・索引 (I)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： n type GaAs単結晶に500°CでCdイオンを10¹⁵/cm²以上注入し.650°C.10分の熱処理を行った時に得られる注入層は単なるP⁺onNの構造ではなくP争層と基板との間にイオンのrangeよりはるかに幅広いsemi-insulating layerをもつ。Cdの注入条件およびCdと共にAsを同一基板に注入して得られたダイオード特性よりこの高抵抗層がhot implantationの段階で生しるAs uacancyが基板内部に拡散し,基板に含まれているドナー不純物をcompensateすることにより生じることを示した;写図5参18

準シソーラス用語： GaAs ,  GaAs結晶 ,  GaAs結晶(イオン注入法) ,  イオン注入法 ,  イオン注入法(GaAs)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaAs ,  イオン注入