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J-GLOBAL ID：201602020488211291   整理番号：70A0249508

半導体素子におけるラプラスーポアソン界面の決定法

Determination of Laplace-Poisson domain interface within semiconductor devices.

著者 (3件)： MAGOWAN J A ,  RYAN W D ,  ARMSTRONG A
資料名： Proc Inst Electr Eng  (Proceedings of the Institution of Electrical Engineers)
巻： 117  号： 5  ページ： 921-926  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0380C  ISSN： 0020-3270  CODEN： PIEEAH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体素子の欠乏層と空間電荷層との境界線の様子はこれまで一次元問題として解かれていたが,本文ではこれを二次元空間の問題として解く方法を示した。欠乏層のラプラスの方程式と空間電荷層のボアソンの方程式をその境界は超段階接合を仮定して順次緩和の方法で電子計算機を用いて解き,境界の電位分布を知ることができた。これにより半導体の破壊現象や電界効果をランジスタ,MOSトランジスタなどの境界の問題が解かれ。後の二者については計算結果を図で示した。またこの近似解法の妥当性については正確に解ける二つの場合について比較した;写図11参8

シソーラス用語： FET ,  MOSFET ,  境界層 ,  半導体素子
準シソーラス用語： MOSトランジスタ ,  MOSトランジスタ(境界層) ,  境界層(半導体素子) ,  電界効果トランジスタ ,  電界効果トランジスタ(境界層) ,  半導体素子(境界層)

タイトルに関連する用語 (2件)： 半導体素子 ,  界面