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J-GLOBAL ID：201602020497167190   整理番号：70A0039853

みぞをつけた磁性薄膜における異方性の修正と磁壁の挙動

Anisotropy modifications and domain-wall behavior in grooved films.

著者 (3件)： BERKOWITZ A E ,  SCHUELE W J ,  MOREY K R
資料名： IEEE Trans Magn  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 6  号： 1  ページ： 130-134  発行年： 1970年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さ約700Aのパーマロイ膜の容易軸に平行または垂直に幅5μのみぞを25μ間隔で部分的にエッチングした(深さ約200A)。また25μ間隔で直径20μの円をエッチングした。これらの試料の異方性.ヒステリシス,磁壁構造などを調べた。その結果,容易軸に平行なみぞをつけたものは。形状異方性による一軸異方性がさらに加わり,NDRO挙動を示し.保磁力は増大する。困難軸に平行なみぞをつけたものは,二軸対称になり,みぞの深さ150A以上のものは保磁力が低下する。またクリープ現象は減少する;写図7参6

シソーラス用語： 磁性薄膜

タイトルに関連する用語 (5件)： みぞ ,  磁性薄膜 ,  異方性 ,  磁壁 ,  挙動