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J-GLOBAL ID：201602020540740168   整理番号：70A0244637

厚い真性半導体層を備えたシリコンサイリスタ檎造におけるスイッチ動作の可能性

The possibility of switching action in a silicon thyristor structure with thick intrinsic layers.

著者 (1件)： HOLT J
資料名： Int J Electron  (International Journal of Electronics)
巻： 29  号： 2  ページ： 149-155  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0287B  ISSN： 0020-7217  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧特性を改良するために厚い真性半導体層を有するシリコンサイリスタ構造において,スイッチ動作を得る可能性について解析した。その結果次のようなことが明らかになった。すなわち,現在のサイリスタの電圧定格を改良するのに充分な厚さの真性半導体層をシリコンサイリスタ構造に含ま沖ると.ゲート制御スイッチング動作が不可能になることがわかった;写図3参7

シソーラス用語： サイリスタ ,  半導体
準シソーラス用語： スイッチ動作 ,  スイッチ動作(半導体)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体層 ,  シリコン ,  サイリスタ ,  可能性