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J-GLOBAL ID：201602020542384202   整理番号：71A0047316

Cr³⁺をドープしたSrTiO₃中のO^2-空格子点による電荷補償

Charge compensation by O^2- vacancies in Cr³⁺-doped SrTiO₃.

著者 (1件)： MEIERLING H D
資料名： Phys Status Solidi B  (Physica Status Solidi)
巻： 43  号： 1  ページ： 191-197  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 立方晶系SrTio,結晶の斜方晶系格子位置のCr3+イオンのESRを測定した。斜方晶系変形はCr3’イオンの近傍の酸素空格子点によって生ずる。近接酸素イオンの変位の模型を提出する。スピンハミルトニアンの定数の値を与える;写図6表1参20

シソーラス用語： 空格子点 ,  電子スピン共鳴
準シソーラス用語： SrTiO₃ ,  スピンハミルトニアン

タイトルに関連する用語 (3件)： ドープ ,  空格子点 ,  電荷補償